闪存是什么意思(电视机闪存是什么意思)

蒙孟涵网友提问：

闪存是什么意思

权威答案：

一、闪存是什么意思一、存储闪存(Flash Memory )是长寿命的非易失性存储器(即使关闭电源也可以保持存储的数据信息)，数据删除不是以单 ...

一、闪存是什么意思

一、存储

闪存(Flash Memory )是长寿命的非易失性存储器(即使关闭电源也可以保持存储的数据信息)，数据删除不是以单一字节为单位，而是以固定块为单位进行(注意： NOR Flash是以字节为单位进行存储的)。 块大小通常在256KB到20MB之间。

2 .闪存通常用于保存设置信息。

闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM )的变种，闪存与EEPROM不同，EEPROM可以在字节级而不是芯片整体的写入进行删除和改写，闪存的大部分芯片由于即使关闭电源也可以保存数据，闪存通常用于保存电脑的BIOS (基本程序)、PDA (个人数字助理)、将数据保存到数码相机等设定信息。

3 .闪存是非易失性存储器

切断电源不会导致数据丢失。 闪存不像RAM (随机存取存储器)那样以字节为单位改写数据，因此不能代替RAM。 闪存卡是利用闪存技术存储电子信息的存储器，在数码相机、掌上电脑、MP3等小型数字产品中用作存储介质，因此小型如卡，被称为闪存卡。

四、种类

根据制造商和应用程序的不同，闪存卡有SmartMedia(SM卡)、Compact Flash(CF卡)、multimedia CC卡(MC卡)、Secure Digital(SD卡)

五、NOR型和NAND型闪存的区别

NOR型和NAND型闪存区别很大，例如NOR型闪存就像存储器，有独立的地址线和数据线，但价格高，容量小。 NAND型与硬盘类似，地址线和数据线是共同的I/O线，与硬盘类似的所有信息都通过一条硬盘线传输，而且NAND型与NOR型闪存相比成本低，容量大

二、闪存应用前景

一、“优盘”是闪存进入日常生活最明显的描述，其实在u盘之前，闪存已经出现在很多电子产品中。 传统的存储数据方式采用RAM的易失性存储器，电池没电时会丢失数据。 使用闪存的产品可以克服这个缺点，使数据存储更可靠。 除了闪存键之外，闪存还用于电脑BIOS、PDA、数码相机、录音笔、手机、数字电视、游戏机等电子产品。

追溯到1998年，优盘进入市场。 接口从USB1.0发展到2.0，然后发展到最新的USB3.0，速度在加快。 USB存储器的普及间接促进了USB接口的普及。 为什么u盘这么受欢迎呢？

3 .闪存驱动器可以用于在电脑之间交换数据。 从容量上讲，闪存驱动器的容量可以从16MB选择到64GB，突破了软盘驱动器的1.44MB的极限。 在读写速度方面，闪存驱动器采用USB接口，读写速度比软盘快很多。

4 .从稳定性方面考虑，闪存驱动器没有机械读写装置，避免了移动硬盘的损伤、掉落等原因引起的破损。 有些型号的闪存驱动器具有加密等功能，用户可以更加自定义。 闪存驱动器体积小，便于携带。 此外，由于采用了热插拔USB连接器，因此使用方便。

5 .闪存向大容量、低功耗、低成本的方向发展。 与以往的硬盘相比，闪存读写速度高，功耗低，市场上已经出现了闪存硬盘，即SSD硬盘，随着制造工艺的提高、成本的降低，闪存在日常生活中

三、闪存发展过程

1 .提出概念

1984年，东芝发明者舛冈富士雄首先提出了闪存(这里简称为闪存)的概念。 与以往的计算机存储器不同，闪存的特征是非易失性的(即，存储的数据即使主体的电源关闭也不会丢失)，其记录速度也非常快。

二、NOR闪存

英特尔是世界上第一家生产闪存并投入市场的公司。 1988年，公司推出了256K bit闪存芯片。 大得像鞋盒，嵌在录音机里。 然后，将Intel发明的这种闪存统称为NOR闪存。 EPROM (可擦除可编程只读存储器)和EEPROM (电可擦除可编程只读存储器)两种技术组合，具有SRAM接口。

三、NAND闪存

第二个闪存被称为NAND闪存。 日立公司于1989年开发，被认为是NOR闪存的理想替代者。 NAND闪存的写入周期比NOR闪存短90%，保存和删除处理的速度也比较快。 NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中提高了NAND的性能。 鉴于NAND的出色表现，它经常被用于CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD、and PC cards、USB sticks等存储卡。

四、发展历史

与许多寿命短的信息技术相比，闪存在其16年的发展过程中，充分展示了“前辈”的做法。 90年代初，闪存首次进入市场。 到2000年，利润额突破了10亿美元。 英飞凌科技闪存部门主任，彼得说：“关于闪存的生命周期，我们还处于上升阶段。” 英飞凌相信闪存的销售依然有上升的余地，正在考虑投资这个市场。 英飞凌宣布，位于德累斯顿的200mmdram工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。 到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米的制造技术，每月制造10，000片以上的晶片。 2007年，该公司希望在NAND市场上名列前三。

五、今后发展

另外，Intel技术和制造集团的副总裁Stefan Lai认为闪存到2008年是不可替代的。 2006年，英特尔首先采用65纳米技术。 预计到2008年，正在开发的下一代45纳米技术将投入市场。 Stefan Lai认为预测还比较浅，有可能实现32纳米、22纳米的技术。 但Stefan Lai也承认，从2008年到2010年，新技术可能会被替代。

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